실리콘과 질소를 모두 함유하는 물질들의 건식-식각 레이트의 선택적인 억제

Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen

Abstract

패터닝된 이종(heterogeneous) 구조들 상의 노출된 실리콘-및-질소-함유 물질에 대한 식각 레이트를 억제하는 방법이 설명되며, 이 방법은 2 스테이지(two stage)의 원격 플라즈마 식각을 포함한다. 이러한 방법을 이용하여, 실리콘 질화물 및 기타 실리콘-및-질소-함유 물질에 대한 실리콘의 식각 선택성이 증가된다. 원격 플라즈마 식각의 제 1 스테이지는, 실리콘-및-질소-함유 물질 상에 보호성 고체 부산물(protective solid by-product)을 형성하기 위해, 플라즈마 배출물들을 패터닝된 이종 구조들과 반응시킨다. 제 1 스테이지의 플라즈마 배출물들은, 삼불화질소 및 수소(H 2 )를 포함하는, 전구체들의 조합의 원격 플라즈마로부터 형성된다. 원격 플라즈마 식각의 제 2 스테이지는, 보호성 고체 부산물이 없는(lack) 물질을 선택적으로 제거하기 위해, 플라즈마 배출물들을 패터닝된 이종 구조들과 또한 반응시킨다. 제 2 스테이지의 플라즈마 배출물들은 불소-함유 전구체의 원격 플라즈마로부터 형성된다.

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