Semiconductor device

반도체 장치


리페어 공정을 통해 절단된 퓨즈가 전기화학적 이동(electrochemical migration)을 통해 다시 전기적으로 연결되는 것을 방지함으로써, 신뢰성이 향상된 반도체 장치를 제공하는 것이다. 상기 반도체 장치는 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 퓨즈 패턴과 제2 퓨즈 패턴으로, 서로 간에 제1 폭만큼 이격된 제1 퓨즈 패턴과 제2 퓨즈 패턴, 및 상기 제1 퓨즈 패턴과 상기 제2 퓨즈 패턴 상에 형성된 제1 절연막으로, 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭을 갖는 개구부를 포함하는 제1 절연막을 포함한다.
Provided is a semiconductor device with improved reliability by preventing a fuse cut by a repair process from being electrically re-connected by electrochemical migration. The semiconductor device includes a substrate, a first fuse pattern and a second fuse pattern which are formed on the substrate and are separated from each other with a first width, a first insulating layer which is formed on the first fuse pattern and the second fuse pattern and includes an opening part which has a second width which is smaller than the first width.




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