촬상 소자 및 전자 장치

Imaging device and electronic apparatus

Abstract

In a solid-state imaging device, a pixel circuit formed on the first surface side of a semiconductor substrate is shared by a plurality of light reception regions. The second surface side of a semiconductor substrate is made the light incident side of the light reception regions. The second surface side regions of the light reception regions formed in the second surface side part of the semiconductor substrate are arranged at approximately even intervals and the first surface side regions of the light reception regions formed in the first surface side part of the semiconductor substrate are arranged at uneven intervals, respectively, and the second surface side regions and the first surface side regions are joined respectively in the semiconductor substrate so that the light reception regions extend from the second surface side to the first surface side of the semiconductor substrate.
고체 촬상 소자에서, 반도체 기판의 제1 면측 상에 형성된 화소 회로가 복수의 수광 영역에 의해 공유된다. 반도체 기판의 제2 면측이 수광 영역의 광입사측이 된다. 반도체 기판의 제2 면측 부분에 형성된 수광 영역의 제2 면측 영역이 대략 등간격(even interval)으로 배치되고, 반도체 기판의 제1 면측 부분에 형성된 수광 영역의 제1 면측 영역이 비등간격(uneven interval)으로 배치되며, 제2 면측 영역과 제1 면측 영역이 반도체 기판에서 각각 접속되어, 수광 영역이 반도체 기판의 제2 면측으로부터 상기 제1 면측으로 연장된다.

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